当前位置: 首页 > 资讯 > >正文

用于先进射频应用的基于氮化镓的器件(原载于《微波杂志》23年5/6月号) 每日看点

来源:个人图书馆-汉无为    时间:2023-06-23 16:58:33


(相关资料图)

1. Hao Yu, et al., “Leakage Mechanism in IonImplantation Isolated AlGaN/GaN Heterostructures,” Journal ofApplied Physics 131, 035701, 2022, Web:https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/5.0076243.

X 关闭

推荐内容

最近更新

Copyright ©  2015-2023 港澳医疗网版权所有  备案号:京ICP备2023022245号-31   联系邮箱:435 226 40 @qq.com